An ultra low-power IR-UWB transmitter in 130nm CMOS with digitally controlled pulse generator

dc.contributor.advisorBatur, Okan Zafer
dc.contributor.authorAlshuwayhıdı, Ahmed Jalal Hamad
dc.date.accessioned2025-02-06T20:40:01Z
dc.date.available2025-02-06T20:40:01Z
dc.date.issued2022
dc.departmentEnstitüler, Lisansüstü Programlar Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
dc.descriptionLisansüstü Programlar Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
dc.description.abstractBu tez, darbe iletimi başına büyük enerji verimliliği elde etmek için ultra düşük güçlü darbe şekillendirme yaklaşımını kullanan bir sistem olan Impulse Radyo Ultra Geniş Bant (IR-UWB) vericisi için radyo frekansı (RF) entegre devrelerinin tasarımını ele almaktadır. Özünde, önerilen verici yapısı dört ana bileşenden oluşur: 1) işaret modülasyon devresi 2) yapılandırılabilir darbe üreteci 3) yapılandırılabilir gecikme hatları ve 4) darbe şekillendirme aşamaları, son olarak bir çıkış darbesi şekillendirme kapasitörüne ve paket indüktörüne bağlanır. Gecikme hattı, üretilen tek darbelerin genişliğinin yanı sıra tek darbelerin konumlarının belirlenmesinden sorumludur. Önerilen verici şemasının tümü, her bir verici bloğu için 1.2 V besleme gerilimi ile 130 nm CMOS teknolojisinde oluşturulmuştur. Doğrusal gerilim kontrolü elde etmek için R-2R dirençli merdiven şebekesine dayalı sayısaldan analoğa dönüştürücü (DAC) kullanılmaktadır. Sonuçlar, yaklaşık 2.4 GHz'lik bir merkez frekansında, ortalama 1,15 V'luk bir tepe-tepe gerilimi ve 49.4 pJ'lik darbe başına enerji (EPP) ile bir süreç köşe analizini kullanarak imalat varyasyon problemini azaltmıştır.
dc.description.abstractThis thesis addresses the design of radio frequency (RF) integrated circuits for the Impulse Radio Ultra-Wideband (IR-UWB) transmitter, which is a system that employs an ultra-low power pulse shaping approach to achieve great energy efficiency per pulse transmission (EPP). At their core, the proposed transmitter is composed of four major components: 1) modulated signal generation 2) configurable pulse generator 3) configurable delay lines and 4) pulse shaping stages, finally connected to an output pulse shaping capacitor and wire-bond inductor. The delay lines are responsible for determining the width of the generated mono pulses as well as the positions of the mono pulses. All of the proposed transmitter schematic are constructed in 130 nm CMOS technology, with a supply voltage of 1.2V for each transmitter block. In order to obtain linear voltage control, digital to analogue converter (DAC) based on R2-R resistive ladder network is employed. In addition to the first innovative discovery, the results have narrowed the manufacturing variation problem by employing a process corner analysis, with a center frequency of approximately 2.4GHz, peak-peak voltage of an average of 1.15V and energy per pulse (EPP) of 49.4 pJ being achieved.
dc.identifier.endpage57
dc.identifier.startpage1
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=CG8WvdvvxJP04Unr7Yecf290wDgfOUhq95RALugnd5rwmUEbt7LJzfmgn9ZQqP6q
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11411/9062
dc.identifier.yoktezid724116
dc.language.isoen
dc.publisherİstanbul Bilgi Üniversitesi
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_Tez_20250206
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliği
dc.subjectElectrical and Electronics Engineering
dc.titleAn ultra low-power IR-UWB transmitter in 130nm CMOS with digitally controlled pulse generator
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar