Sarıoğlu, BaykalGüler, Sara Betül2025-02-062025-02-062024https://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=LY6e5xGA7WWUpEdrBmEPLuD5qEWRPeGF37VDWVehsUWubnjMJIiYC-djFtqUWrXWhttps://hdl.handle.net/11411/9065Lisansüstü Programlar Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim DalıBu proje, araştırma ekibi tarafından imalat, karakterizasyon ve patentleme amacıyla üretilen, İstanbul Üniversitesi Fizik Bölümü'nden alınan sensör malzemesini kullanarak III-V grubu yarı iletken tabanlı fotosensör için bir okuma devresi tasarımı önermeyi amaçlamaktadır. Bu çalışmanın temel amacı, özellikle astronomi gözlemlerinde kullanılmaya yönelik SWIR kamera tasarımı konusunda gelecekte yapılacak çalışmalara, GaInNA tabanlı RCEPD'ler için okuma devre tasarımlarına temel kazanmak ve oluşturmaktır. Tezde kullanılan GaInNAs tabanlı RCEPD Ga0.733In0.267N0.025As0.975/GaN0.035As0.965 yapısında olup, op-amp okuma devresi tasarlanmış, sensörün tepkisini anlamak için farklı devre bileşenlerinin ve bileşenin farklı boyutlarının bir kombinasyonu kullanılarak test ölçümleri yapıldı. Ölçümler çeşitli aydınlatma kaynakları altında yapılmıştır. Bu çalışmada kuantum kuyu kızılötesi tespiti, III-V grubu yarı iletken tabanlı SWIR fotodetektörlerin yapısı ve çalışma prensibi, kullanılan malzeme ve bileşenler, yapılan ölçümler ve sonuçlar ve son olarak tespit edilen iyileştirme fırsatları derinlemesine tartışılacaktır. Elektronik bileşenlerin tipinin doğru spesifikasyon verileriyle seçilmesinin ve fotodiyot yapısının bileşiminin, büyütülmesinin ve üretilmesinin ideal fotoalgılama için çok önemli olduğu tespit edilmiştir.This project aims to propose a readout circuit design for a III-V group semiconductors based photosensor, using the sensor material obtained from the Department of Physics at Istanbul University, which was produced by the research team for manufacturing, characterization and patenting purposes. The main aim of this study is to gain and provide a basis for readout circuit designs for GaInNAs-based RCEPDs for future studies to be performed on SWIR camera design to be explicitly used for astronomical purposes. The GaInNAs-based RCEPD used for the thesis is in the structure of Ga0.733In0.267N0.025As0.975/GaN0.035As0.965, a simple op amp readout circuit was designed, and developed, and test measurements – using a combination of different circuit components and different sizes of the components – were performed to understand the response of the sensor. Measurements were done under various illumination sources. This study will discuss quantum well infrared detection, the structure and operating principle of III-V group semiconductors based SWIR photodetectors, the materials and components used, the measurements performed and the results, and the last but not the least, the improvement opportunities identified in depth. It is identified that thr selection of the electronic components' type with correct specification data and the composition, growth, and fabrication of the photodiode structure is crucial for ideal photodetection.eninfo:eu-repo/semantics/openAccessElektrik ve Elektronik MühendisliğiElectrical and Electronics EngineeringMaster Thesis1011902452